Módulos de Memoria RAM Actuales (2024)
1. DDR4 SDRAM
Características:
Velocidad: 1600–3200 MT/s (estándar), hasta 5333 MT/s (overclock).
Voltaje: 1.2 V.
Capacidad: 4–128 GB por módulo.
Uso: Dominante en sistemas de 2014–2021, aún común en PCs y servidores.
Estándares Relacionados:
DDR4L: Bajo voltaje (1.05 V) para portátiles.
DDR4E: Para entornos embebidos.
2. DDR5 SDRAM
Características:
Velocidad: 4800–6400 MT/s (estándar), hasta 10,000+ MT/s (overclock).
Voltaje: 1.1 V.
Capacidad: 8–256 GB por módulo.
Innovaciones:
Arquitectura de doble canal por módulo.
Mayor eficiencia energética.
Uso: Estándar actual en PCs gaming, workstations y servidores (desde 2021).
3. LPDDR4/LPDDR4X
Características:
Velocidad: 3200–4266 MT/s.
Voltaje: 0.6–1.1 V (LPDDR4X más eficiente).
Capacidad: 4–32 GB por módulo.
Uso: Dispositivos móviles (smartphones, tablets) y ultraportátiles.
4. LPDDR5/LPDDR5X
Características:
Velocidad: 5500–8533 MT/s (LPDDR5X hasta 10,666 MT/s).
Voltaje: 0.5–1.05 V.
Capacidad: 8–64 GB por módulo.
Uso: Smartphones flagship (ej. iPhone 15, Samsung Galaxy S23), laptops delgadas.
5. HBM (High Bandwidth Memory)
Características:
Ancho de banda: 1024–3072 bits por stack.
Velocidad: 1.6–3.2 Gbps por pin.
Capacidad: 4–24 GB por stack.
Usos:
GPUs de alto rendimiento (NVIDIA H100, AMD Instinct).
IA/aceleradores.
6. GDDR6/GDDR6X
Características:
Velocidad: 14–21 Gbps (GDDR6X hasta 24 Gbps).
Ancho de banda: 56–1 TB/s (dependiendo de configuración).
Uso: Tarjetas gráficas (NVIDIA RTX 40xx, AMD RX 7000).
7. Memoria CXL (Compute Express Link)
Características:
Protocolo basado en PCIe 5.0/6.0.
Baja latencia y coherencia con CPU.
Uso: Servidores y centros de datos para expansión de memoria.
Tabla Comparativa
Tipo |
Velocidad |
Voltaje |
Capacidad Máx. |
Aplicación Típica |
---|---|---|---|---|
DDR4 |
1600–5333 MT/s |
1.2 V |
128 GB |
PCs, servidores |
DDR5 |
4800–10,000+ MT/s |
1.1 V |
256 GB |
High-end PCs, servers |
LPDDR5X |
5500–10,666 MT/s |
0.5–1.05 V |
64 GB |
Smartphones, tablets |
HBM2E |
3.2 Gbps/pin |
1.2 V |
24 GB/stack |
GPUs, aceleradores AI |
GDDR6X |
19–24 Gbps |
1.35 V |
24 GB |
Tarjetas gráficas |
Tendencias Futuras
DDR6: Esperado para 2026–2027 (velocidades >12,000 MT/s).
LPDDR6: En desarrollo para móviles (mayor eficiencia).
Memoria 3D Stacked: Integración vertical (ej. HBM3, HBM-PIM).
Notas:
Obsoletos omitidos: DDR3, DDR2, SDRAM, etc.
Enfoque en actualidad: Se incluyen estándares dominantes (2023–2024) y emergentes.
MT/s: MegaTransfers por segundo (no MHz, debido al doble data rate).